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存储之争,传感之风
阅读:1725 时间:2016-08-29 来源:苏州易易通电子商务有限公司
八月初,立秋时节,夏蝉渐隐。俗话说:初侯凉风至。阵阵秋风带来了一丝凉意,但上周的存储业可谓火热十足,关于大陆大力发展存储,紫光和武汉新芯合并成立长江存储的话音刚落,三星就公布其要在年底量产64层的3DNAND,而另一家韩国半导体:SK海力士,不甘于落后局面,进一步强化3DNAND投资;而在不久前,东芝与西部数据合作增投NANDFLASH,并爆料要做64层3DNAND;在韩日争抢的同时,上周美国美光科技也在公布了自己的第一款48层堆叠的3DNAND,别看是第一款,其尺寸是业内最小的,容量更大。
IC君认为,美日韩相继争夺3DNAND,究其原因在于抢占未来市场的先机。
在IC君看来,一般半导体厂商并购以增强自身的实力,比如:本月初艾迈斯(AMS)收购颜色和光谱传感专家MAZeT,以增强其在光电传感器领域的实力;或者扩充自身产品线的不足,比如:本月初,北京君正拟收购豪威科技(OmniVision),填补CMOS传感器产品;上周日本TDK收购了MEMS传感器制造商Tronics,以扩张在温度、压力传感器方面的产品线;再或者将实力不强的业务进行转让,比如:ST以约1亿美元收购AMS的NFC和RFID专利、技术、产品及业务。(这笔收购对ST而言是很划算的,随着时下ApplePay,SumsungPay等各种Pay的兴起,这种便利快捷的体验,将使NFC技术应用日益增多,而未来移动设备,智能穿戴,金融,物联网等方面可能都将普及这种更安全便利的应用技术,这将会让ST最终受益);但像日本瑞萨直接宣传退出微波半导体业务,专注于光器件,的确不多见,这也间接反映出瑞萨在微波半导体业务没有太多的竞争力(无法转售该业务),而受脱欧影响,日元汇率的升高,加上自身盈利偏弱,砍掉到也在合理之中。
美光3DNAND
美光的3DNAND是几家中最晚发布的,但其优势在于采用FG浮栅极技术,TLC类型闪存核心容量384Gb,相比其他几家的256Gb,容量最大。
相比较而言,不难看出美光的技术实力,而且其和INTEL一起合作的3DXPoint,被誉为下一场的存储革命,据宣称比NAND速度快1000倍,寿命长1000倍,存储密度高10倍,无论是容量还是稳定性等方面都超过了目前的内存和闪存。而国内武汉新芯的3DNAND技术是Cypress收购的飞索半导体(Spansion)的技术,明年才可生产,据传堆叠最高到8层,与目前市场的32层有很大的差距,这也就是紫光一直不愿意放弃美光的原因。
在存储争夺火爆之时,IC君留意发现业内并购的新风潮----传感器。
随着物联网的到来,传感器市场势必将日益火热,增强实力,抢占先机,将是未来传感器厂商的发展的主要方向。
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NAND闪存是一种非易失性存储技术,断电后仍能保存数据,随着智能机器人,可穿戴设备,无人机,物联网等发展,未来NAND闪存市场应用将十分广泛,但随着制程工艺的不断进步,传统的平面NAND,在容量提升,降低成本的同时,稳定性却在下降,这需要厂家采取其他措施,成本将上升,而最终将导致在未来某个节点将无法再提升的局面,为此,3DNAND很好的解决了这个问题,厂家只需堆叠更多层数就可以,目前主流堆叠层数不超过48层,而各家3DNAND所用的技术有不尽相同
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